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Nonlinear optical response of As+-ion implanted GaAs studied using time resolved reflectivity

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.116576
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetABSORPTIVITY; ARSENIC ADDITIONS; CARRIER LIFETIME; ENERGY GAP; GALLIUM ARSENIDES; ION IMPLANTATION; REFLECTION SPECTROSCOPY; REFRACTIVE INDEX
Résumé
The transient reflectivity response of GaAs with a 2% excess As concentration (GaAs:As), prepared by As+ ion implantation, has been measured at photon energies near the band gap. Results are compared with similar measurements on implanted GaAs with a 0.01% excess As concentration, and unimplanted GaAs. For GaAs:As, the transient refractive index change Δn, is larger than, but of the opposite sign to that of unimplanted GaAs. The measured carrier lifetime of 1±0.1 ps is identical to that of low-temperature GaAs. The wavelength dependence of Δn indicates the presence of an induced absorption peak at photon energies near the band gap, which is attributed to band-gap renormalization.
Date de publication
Dans
  • Applied Physics Letters 68, nº 23 (3 juin 1996) : 3287–3289.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12337931
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Identificateur de l’enregistrement5087bddd-31b7-4a40-8078-f4414d256019
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-20

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