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Cracking phenomena in In(0.25)Ga(0.75)AS films on InP substrates

Par Conseil national de recherches du Canada

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  1. (PDF, 780 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S1359-6454(99)00211-6
AuteurRechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Sujetanalytical electron microscopy; compound semiconductors; fracture
Résumé
The strain relaxation of a series of In0.25Ga0.75As films grown on (100) InP substrates (lattice mismatch=2%) has been studied by electron microscopy. The mechanisms of strain relief (in the first stages of growth) occurred by cracking on (01-1), and by twinning on (111) and (1-11) planes. Cracking was a transitory process with the density of cracks being highest in a 20nm thick film, while a 500nm thick film was crack-free. These results are discussed in the context of different cracking and crack0healing models.
Date de publication
Dans
  • Acta Materialia 47, nº 12 (29 septembre 1999) : 3383–3394.
Langueanglais
Publication du CNRC
Cette publication n’est pas du CNRC

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Numéro NPARC21276883
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Identificateur de l’enregistrement4a3e57b6-0160-41c0-beae-b1c4d1b230b8
Enregistrement créé2015-10-30
Enregistrement modifié2020-06-04
Date de modification :