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AlGaN/GaN HFETs fabricated from maskless selectively grown mesas on Si(111) substrates

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:20072039
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Electronics Letters 43, nº 22 (2007).
Numéro NPARC12744106
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Identificateur de l’enregistrement472c588e-2fe9-4c00-80f5-e3d06baa5891
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-05-10

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