Molecular beam epitaxy growth of 1.55 mm GaInNAs(Sb) double quantum wells with bright and narrow photoluminescence

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.02.027
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetHigh resolution X-ray diffraction; Transmission electron microscopy; Secondary ion mass spectrometry; Molecular beam epitaxy; GaInNAsSb; InGaNAsSb
Résumé
Date de publication
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21276881
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Identificateur de l’enregistrement45142e4d-de8d-42cb-9e60-12efb7c6b409
Enregistrement créé2015-10-30
Enregistrement modifié2020-04-22
Date de modification :