Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : 1.53µm GaInNAsSb laser diodes grown on GaAs(100) (PDF, 513 Kio)
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DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:20057623 |
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Auteur | Rechercher : Gupta, J. A.1; Rechercher : Barrios, P. J.1; Rechercher : Zhang, X.; Rechercher : Pakulski, G.1; Rechercher : Wu, X.1 |
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Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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Format | Texte, Article |
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Résumé | GaInNAsSb/GaNAs double quantum well ridge waveguide laser diodes with room temperature lasing wavelength of 1532 nm are reported. The devices exhibit leakage-corrected threshold current densities as low as 969 A cm−2 per quantum well in pulsed mode, with characteristic temperatures as high as 90 K. |
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Date de publication | 2005-01-20 |
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Dans | |
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Langue | anglais |
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Numéro NPARC | 12744533 |
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Identificateur de l’enregistrement | 44223772-9813-484f-8bf8-e7c7c0b53b62 |
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Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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Enregistrement modifié | 2020-04-07 |
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