Selectively grown AlGaN/GaN HEMTs on Si(111) substrates for integration with silicon microelectronics

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2008.10.105
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12441146
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Identificateur de l’enregistrement3fd383c6-8392-4040-9a15-9350c4bf4e2f
Enregistrement créé2009-09-25
Enregistrement modifié2023-04-19

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