Copper nanopattern on SiO₂ from sputter etching a Cu/SiO₂ interface

Par Conseil national de recherches du Canada

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1864247
Auteur	Rechercher : Stepanova, M.; Rechercher : Dew, S. K.; Rechercher : Soshnikov, I. P.
Format	Texte, Article
Sujet	Copper; glass; metal-insulator boundaries; metallic thin films; Monte Carlo methods; nanopatterning; nanostructured materials; self-assembly; sputter deposition; sputter etching; surface morphology
Résumé	We have observed a Cu nanostructure self-assembled on a SiO₂ substrate during ion beam etching the Cu/SiO₂ interface. We have deposited a thin Cu layer on a glass substrate and etched the deposited layer by a neutralized argon ion beam. At the stage when almost all metal is removed by etching, we have observed an ~20-nm-sized Cu pattern on the substrate. By atomistic Monte Carlo simulations we have demonstrated that during sputter etching, a morphology self-organizes on the surface of the Cu layer whose size and shape matches the observed Cu nanostructure. We conclude that the observed Cu nanopattern on the substrate results from the surface morphology developed by sputter instability during etching of the deposited layer.
Date de publication	2005-02-09
Dans	Applied Physics Letters 86, nº 7 (9 février 2005) : 073112-1–073112-3.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Publication du CNRC	Cette publication n’est pas du CNRC Ce sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC.
Numéro du CNRC	18
Numéro NPARC	12329169
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Identificateur de l’enregistrement	39a3a72f-4cf6-403c-99b3-dd675da964fd
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-04-07

Date de modification :: 2026-01-14