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Reducing AC Power Consumption by Three-Dimensional Integration of Ge-On-Insulator CMOS on 1-Poly-6-Metal 0.18 um Si MOSFETs

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.1949088
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Journal of The Electrochemical Society 152, nº 8 (2005) : G684–G687.
Numéro NPARC12744472
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Identificateur de l’enregistrement36f3a542-3377-4b59-bbe0-9150078850fa
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-07

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