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Atomic defects of the hydrogen-terminated silicon surface imaged with nc-AFM

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FormatTexte, Résumé
ConférenceAPS March Meeting 2020, March 2-6, 2020, Denver, Colorado
Description physique1 p.
Résumé
The hydrogen-terminated silicon (H:Si) surface has been shown to be a viable candidate for the development of atom-scale devices; however, the creation of such devices is currently limited by the need for constant user-guided interaction during the fabrication process. Attempts to automate fabrication using deep learning successfully demonstrated the training of a neural network which was able to identify common defects. Building upon these recent works we present our efforts at creating a comprehensive catalog containing many of the commonly found defects of the H:Si-100(2x1) surface. By imaging the defects using different imaging parameters in STM and two different tip contrasts in non-contact AFM, we determine the structures of the defects, their likely origins and potential removal, and a path to improved accuracy for their automated detection. A deeper understanding will enable the creation of better defect-free samples for atomic fabrication.
Date de publication
Maison d’éditionAmerican Physical Society
Dans
  • Bulletin of the American Physical Society 65, nº 1, Abstract: A52.00007.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Publication du CNRC
Cette publication n’est pas du CNRC

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Numéro du CNRCNRC-NANO-066
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Identificateur de l’enregistrement3402e425-09f7-4dc5-9df5-ccf7bc78f762
Enregistrement créé2021-02-04
Enregistrement modifié2021-02-12

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