| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/ESSDERC59256.2023.10268545 |
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| Auteur | Rechercher : Kizilkan, E.; Rechercher : Karaca, U.; Rechercher : Pešić, V.; Rechercher : Lee, M.-J.; Rechercher : Bruschini, C.; Rechercher : SpringThorpe, A. J.1; Rechercher : Walker, A. W.2Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1791-2140; Rechercher : Flueraru, C.2; Rechercher : Pitts, O. J.2Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-5740-9443; Rechercher : Charbon, E. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Centre de fabrication pour la photonique du Canada
- Conseil national de recherches Canada. Quantique et nanotechnologies
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | ESSDERC 2023: IEEE 53rd European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), September 11-14, 2023, Lisbon, Portugal |
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| Sujet | temperature measurement; performance evaluation; temperature distribution; wavelength measurement; current measurement; computational modeling; simulation |
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| Résumé | We present a simulation method to estimate the dark count rate (DCR), photon detection probability (PDP), and dark current of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes (SPADs) from 225K to 300K. All simulations are performed completely in TCAD and match well with the measurement results of our novel selective area growth (SAG) based InGaAs/InP SPAD. An optimized simulation environment has the potential of estimating the device performance without costly fabrication iterations. Hence, it will accelerate the development of high-performance InGaAs/InP SPADs. |
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| Date de publication | 2023-09-11 |
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| Maison d’édition | IEEE |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 32305561-ec48-4d59-ba72-2510b79db1bc |
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| Enregistrement créé | 2024-07-19 |
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| Enregistrement modifié | 2024-07-19 |
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