| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.3700407 |
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| Auteur | Rechercher : Lockwood, D.J.1; Rechercher : Wu, X.1; Rechercher : Baribeau, J.-M.2; Rechercher : Modi, N.; Rechercher : Tsybeskov, L. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Science des mesures et étalons
- Conseil national de recherches du Canada. Technologies de l'information et des communications
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 2nd International Symposium on Nanoscale Luminescent Materials - 221st ECS Meeting, 6 May 2012 through 10 May 2012, Seattle, WA |
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| Sujet | Carrier recombination; CMOS Compatible; Light emitters; Light emitting devices; Si/SiGe; Silicon Germanium; Spectral range; Germanium; Silicon alloys; Nanostructures |
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| Résumé | Epitaxially-grown three-dimensional Si/SiGe nanostructures produce photoluminescence and electroluminescence in the desired spectral range of 1.3-1.6 μm. We show that by controlling and modifying such Ge-rich SiGe nanoclusters during growth it is possible to fabricate very fast and hence more efficient SiGe light-emitting devices. Models for the physics of carrier recombination in these Si/SiGe nanostructures are presented, and a new route toward CMOS compatible light emitters is proposed. ©The Electrochemical Society. |
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| Date de publication | 2012 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21269510 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 2fdddbcb-5e5c-46fc-ad77-42b716aa33ab |
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| Enregistrement créé | 2013-12-12 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-21 |
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