Electron g-factor determined for quantum dot circuit fabricated from (110)-oriented GaAs quantum well

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/5.0086555
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-4678-3069; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-3322-8602; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-2871-7789; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9776-2922; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-5599-5824; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-2238-336X; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-8770-8025; Rechercher : ; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1929-2715
Affiliation du nom
  1. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
Bailleur de fondsRechercher : Japan Society for the Promotion of Science; Rechercher : Core Research for Evolutional Science and Technology; Rechercher : Moonshot Research and Development Program; Rechercher : Asahi Glass Foundation; Rechercher : Deutsch-Französische Hochschule; Rechercher : Deutsche Forschungsgemeinschaft; Rechercher : Deutsche Forschungsgemeinschaft; Rechercher : Berlin Center for Machine Learning; Rechercher : National Research Council Canada
FormatTexte, Article
Sujetquantum wells; doping; electronic transport; electrical properties and parameters; spin-orbit interactions; hall effect; epitaxy; quantum dots; g-factor
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionAIP Publishing
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrement268c0f45-b08c-493b-992d-2195f5d1cd3c
Enregistrement créé2022-04-12
Enregistrement modifié2022-04-12
Date de modification :