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Effect of template morphology on the efficiency of InGaN/GaN quantum wells and light-emitting diodes grown by molecular-beam epitaxy

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1884745
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Applied Physics Letters 86, nº 12 (2005) : 121110–.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744109
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Identificateur de l’enregistrement243d40ba-2ed0-4f56-80d2-ca53b0735cc8
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2023-05-10

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