| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.358456 |
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| Auteur | Rechercher : McAlister, Sean1; Rechercher : McKinnon, W1; Rechercher : Abid, Z.; Rechercher : Guzzo, Eddy1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | BIPOLAR TRANSISTORS; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; HOT ELECTRONS; HYSTERESIS; INDIUM ARSENIDES; INDIUM PHOSPHIDES; SWITCHING; TEMPERATURE RANGE 65273 K |
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| Résumé | The switching behavior of a composite-collector InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor is found to be hysteretic at temperatures below 200 K. This arises from the underlying S-shaped negative differential conductivity associated with the hot-electron transport of electrons across the heterojunction barrier in the collector structure of such transistors. |
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| Date de publication | 1994 |
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| Dans | |
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| Numéro NPARC | 12327130 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 174127f5-2ab9-4d06-93dd-c81f179f2b06 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-27 |
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