Force modulation of tunnel gaps in metal oxide memristive nanoswitches

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3227651
Auteur	Rechercher : Miao, Feng; Rechercher : Yang, J. Joshua; Rechercher : Strachan, John Paul; Rechercher : Stewart, Duncan¹; Rechercher : Williams, R. Stanley; Rechercher : Lau, Chun Ning
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Technologies de sécurité et de rupture
Format	Texte, Article
Résumé	Electron tunneling plays a key role in computing devices. Tunneling is, however, notoriously difficult to characterize inside real device structures. Using pressure modulated conductance microscopy, we demonstrate in situ angstrom-scale tuning and estimation of tunnel gaps with ∼10 nm lateral resolution. By modulating tunnel gaps in Pt/TiOx/Pt memristive oxide nanoswitches, we establish that these devices switch via 2–9 Å modification of the tunnel gap.
Date de publication	2009-09-16
Maison d’édition	AIP
Dans	Applied Physics Letters 95, nº 11, 113503.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro NPARC	23004908
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Identificateur de l’enregistrement	16e811c2-be54-41a5-bfd1-64fe12cf3d6c
Enregistrement créé	2019-01-21
Enregistrement modifié	2020-04-16

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