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Optimized growth of GaN/AlGaN HFETs on sapphire and SiC substrates by ammonia- MBE

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceJuna 10-14, 2002
Date de publication
Dans
  • The 8th International Conference on Electronic Materials (juin 2002).
Numéro NPARC12333696
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Identificateur de l’enregistrement0f18d30d-2f94-4d2a-bb2a-27cf92b05457
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :