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Performance improvement of CoTiO3 high-k dielectrics with nitrogen incorporation

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.2388733
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Résumé
In this paper, three approaches to incorporating nitrogen in CoTiO3 high-k dielectric films, ion implantation of N2+, ion implantation of N+, and N2O plasma treatment have been investigated for the new CoTiO3 high-k dielectrics. All three methods reduced the leakage currents and improved the breakdown characteristics but the N2O-plasma treatment produced the best-behaved C-V curves, when compared to the untreated control samples.
Date de publication
Dans
  • Journal of the Electrochemical Society 154, nº 1 (2007) : G18–G23.
Numéro NPARC12744501
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Identificateur de l’enregistrement0beeaddc-8e47-4561-a8e5-d82f2d0740fe
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-05-10
Date de modification :