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Hot-carrier stressing of NPN polysilicon emitter bipolar transistors incorporating fluorine

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/TED.2003.812502
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • IEEE Transactions on Electronic Devices 50, nº 4 (2003) : 1141–1144.
Numéro NPARC12744782
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Identificateur de l’enregistrement0a2eee07-2099-45b3-bf47-8dc01c37729a
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-02
Date de modification :