Low RF noise and power loss for ion-implanted Si having an improved implantation process

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/LED.2002.807027
Auteur	Rechercher : Chan, K. T.; Rechercher : Chin, A.; Rechercher : McAlister, Sean¹; Rechercher : Chang, C. Y.; Rechercher : Liu, J.; Rechercher : Chien, S. C.; Rechercher : Duh, D. S.; Rechercher : Lin, W. J.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2003
Dans	IEEE Electron Device Letters 24, nº 1 (2003) : 28–30.
Numéro NPARC	12744651
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Identificateur de l’enregistrement	095580ae-90a8-45b1-aafb-1c81697acee6
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-04-02

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