Hot-carrier induced degradation and recovery in polysilicon-emitter bipolar transistors
Hot-carrier induced degradation and recovery in polysilicon-emitter bipolar transistors
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00112-0 |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 2002 |
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| Numéro NPARC | 12744019 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 07fa4a8e-7dcb-4e81-99c6-c018673591d2 |
| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-30 |
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