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Hot-carrier induced degradation and recovery in polysilicon-emitter bipolar transistors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00112-0
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Solid State Electronics 46, nº 10 (2002) : 1603–1608.
Numéro NPARC12744019
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Identificateur de l’enregistrement07fa4a8e-7dcb-4e81-99c6-c018673591d2
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-03-30
Date de modification :