Device level characterization for energy bandgap of strain-relaxed SiGe and Oxide/SiGe barrier height
Device level characterization for energy bandgap of strain-relaxed SiGe and Oxide/SiGe barrier height
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1149/1.1705663 |
|---|---|
| Auteur | Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1 |
| Affiliation |
|
| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 2004 |
| Dans | |
| Numéro NPARC | 12744652 |
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
| Identificateur de l’enregistrement | 03cf058c-be6e-4083-bf4a-455a1e3edfd1 |
| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-17 |
Détails de la page
Par :
- Date de modification :