On hot-carrier induced degradation, temperature, bias and emitter geometry dependence of the dc characteristics of polysilicon-emitter bipolar transistors

Auteur	Rechercher : Sheng, S.; Rechercher : McAlister, Sean¹; Rechercher : Storey, Craig¹; Rechercher : Lee, L-S; Rechercher : Hwang, H.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	EDMO2002 - 10th International Symposium on Electron Devices for Microwave & Optoelectronic Alications, November 2002, Manchester, UK
Numéro NPARC	12346431
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Identificateur de l’enregistrement	03b4aa1c-9eef-4240-92f7-1ada6b02eccd
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-04-16