Progress and Challenges in Growth of High-Mobility GaN Epilayers and AlGaN/GaN HFET Strcutures by Ammonia- MBE Technique
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 2000 |
| Dans | |
| Numéro NPARC | 12337896 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 0310d636-bc3f-4fe1-867e-5b3ed5869315 |
| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-26 |
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