Progress and Challenges in Growth of High-Mobility GaN Epilayers and AlGaN/GaN HFET Strcutures by Ammonia- MBE Technique

Auteur	Rechercher : Tang, Haipeng¹; Rechercher : Webb, James²; Rechercher : Bardwell, Jennifer¹
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2000
Dans	Trends in Physics (2000).
Numéro NPARC	12337896
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Identificateur de l’enregistrement	0310d636-bc3f-4fe1-867e-5b3ed5869315
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-03-26