GaAs surface chemical passivation by (NH4)2S+Se and the effect of annealing treatments

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00190-5
Auteur	Rechercher : Belkouch, S.; Rechercher : Aktik, C.; Rechercher : Xu, H. (Hongyi); Rechercher : Ameziane, E.
Format	Texte, Article
Résumé	We report on a new Se chemical passivation [(NH4)2S + Se] for GaAs surfaces. We compare our Se passivated surfaces with (NH4)2S + S [(NH4)2Sx] passivated surfaces by preparing Al-nGaAs Schottky diodes and submitting them to cumulative annealing treatments. We find that with or without an annealing treatment the Schottky barriers are consistently closer to the ideal value (0.2 eV) when the GaAs surfaces are treated with the (NH4)2S + Se rather than the (NH4)2Sx chemical solution. This indicates that (NH4)2S + Se surface passivation is more effective in reducing the surface state density and in unpinning the Fermi level than the (NH4)2Sx passivation treatment. These results are attributed to the complementary passivation role of the S and the Se on the GaAs surface. Also, the annealing treatment plays an important role in the control of the barrier height in both kinds of passivation.
Date de publication	1996-04
Dans	Solid-State Electronics 39, nº 4 (avril 1996) : 507–510.
Publications évaluées par des pairs	Oui
Publication du CNRC	Cette publication n’est pas du CNRC Ce sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC.
Numéro NPARC	12338682
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Identificateur de l’enregistrement	030ffcea-b5bb-4fa3-a86b-16bfe9e3a50a
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-03-20

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Par :

Conseil national de recherches Canada

Date de modification :: 2026-10-05