Current distributions in silicon-germanium p-MOSFETs

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1139/p96-854
Auteur	Rechercher : McAlister, S. P.¹; Rechercher : McKinnon, W. R.¹; Rechercher : Bradford, T.¹
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Résumé	Nous présentons des simulations de densité de courant dans des p-MOSFET de Si–Ge où les circuits (canaux) de Si–Ge ont des configurations triangulaires ou uniformes pour le Ge. Les distributions de courant indiquent pourquoi la configuration triangulaire est supérieure. Les contributions à la transconductance dans les deux structures sont dominées par le circuit Si–Ge tant que le voltage de porte reste dans le domaine 0,5 à 1,5 V, mais à partir de 2,5 V, la réponse est contrôlée par la performance du courant parallèle à l'interface supérieure d'oxyde/Si. [Traduit par la rédaction]
Date de publication	1996-03-01
Dans	Canadian Journal of Physics (Supplement) 74, nº 12 (1 mars 1996) : s177–s181.
Langue	anglais
Numéro NPARC	12328313
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Identificateur de l’enregistrement	02eccaba-e17f-4509-accd-d5d80c628c7d
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-03-20

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