| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1459489 |
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| Auteur | Rechercher : Ciorga, M.1; Rechercher : Pioro-Ladriere, M.1; Rechercher : Zawadzki, Piotr1; Rechercher : Hawrylak, Pawel1; Rechercher : Sachrajda, A. S.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | The single-electron transistors containing a few electrons and spin polarized source and drain contacts were formed in GaAs/GaAlAs heterojunctions using metallic gates. Coulomb blockade measurements reveal well-defined regimes where a decrease in the current is observed with increasing bias. We establish that the origin of the negative regime is the spin-polarized detection of electrons combined with a long spin relaxation time in the dot. |
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| Date de publication | 2002 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12744640 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 027fc2f7-0499-4f1e-aa37-b0f146e8436a |
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| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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| Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
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