Structural properties of maskless epitaxial lateral overgrown MOCVD GaN layers on Si (111) substrates

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)01842-0
Auteur	Rechercher : Haffouz, Soufien¹; Rechercher : Grzegorczyk, A.; Rechercher : Hageman, P. R.; Rechercher : Vennégues, P.; Rechercher : van der Drift, E. W. J. M.; Rechercher : Larsen, P. K.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2003
Dans	Journal of Crystal Growth 248 (2003) : 568–572.
Numéro NPARC	12744460
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Identificateur de l’enregistrement	0138e1f1-8dce-4bb5-a9d6-f5b8c550a66b
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-04-02

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